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2SA1873-Y(TE85L,F)

2SA1873-Y(TE85L,F)

참조 용

부품 번호 2SA1873-Y(TE85L,F)
PNEDA 부품 번호 2SA1873-Y-TE85L-F
설명 TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 3,726
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SA1873-Y(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SA1873-Y(TE85L,F)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

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2SA1873-Y(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
전류-수집기 (Ic) (최대)150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 2mA, 6V
전력-최대200mW
주파수-전환80MHz
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
공급자 장치 패키지USV

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100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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전류-수집기 (Ic) (최대)

2A, 1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 50mA, 2.5A / 220mV @ 50mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V

전력-최대

2.5W

주파수-전환

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

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트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 500µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

125 @ 1mA, 5V

전력-최대

1.2W

주파수-전환

60MHz

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-78-6 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-78-6

MPQ2483

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

4 NPN (Quad)

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

20nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

3W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

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트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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