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2SA1931,KEHINQ(M

2SA1931,KEHINQ(M

참조 용

부품 번호 2SA1931,KEHINQ(M
PNEDA 부품 번호 2SA1931-KEHINQ-M
설명 TRANS PNP 5A 50V TO220-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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2SA1931 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SA1931,KEHINQ(M
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SA1931, 2SA1931 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 145.74 KB)
PDF2SA1931 데이터 시트 표지
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2SA1931 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic400mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 1A, 1V
전력-최대2W
주파수-전환60MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220NIS

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

700mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 50mA, 2V

전력-최대

800mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

750mV @ 125mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 1A, 10V

전력-최대

2.5W

주파수-전환

-

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장착 유형

Through Hole

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 5V

전력-최대

900mW

주파수-전환

140MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92MOD

2SC4682,T6F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 30mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

800 @ 500mA, 1V

전력-최대

900mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

TO-92MOD

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시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 500mA, 2V

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