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2SAR502EBTL

2SAR502EBTL

참조 용

부품 번호 2SAR502EBTL
PNEDA 부품 번호 2SAR502EBTL
설명 TRANS PNP 30V 0.5A EMT3F
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 26,700
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SAR502EBTL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SAR502EBTL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SAR502EBTL, 2SAR502EBTL 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 2,061.88 KB)
PDF2SAR502UBTL 데이터 시트 표지
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2SAR502EBTL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic400mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대)200nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 100mA, 2V
전력-최대150mW
주파수-전환520MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지EMT3F (SOT-416FL)

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

250mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-XFDFN

공급자 장치 패키지

3-DFN1006 (1.0x0.6)

2SAR502U3T106

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 10mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

200nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

전력-최대

200mW

주파수-전환

520MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

UMT3

2N3415

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 3mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 4.5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

QSX1TR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 60mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

270 @ 500mA, 2V

전력-최대

1.25W

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSMT6 (SC-95)

2SA1586-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

전력-최대

100mW

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