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2SAR514P5T100

2SAR514P5T100

참조 용

부품 번호 2SAR514P5T100
PNEDA 부품 번호 2SAR514P5T100
설명 PNP -80V -0.7A MEDIUM POWER TRAN
제조업체 Rohm Semiconductor
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2SAR514P5T100 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SAR514P5T100
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
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PDF2SAR514P5T100 데이터 시트 표지
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2SAR514P5T100 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic400mV @ 15mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 3V
전력-최대500mW
주파수-전환380MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-243AA
공급자 장치 패키지MPT3

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

450mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

5µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

250mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

PG-SOT223-4

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ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

전력-최대

1.3W

주파수-전환

420MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

PCP

2N3762L

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

2SC4153

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

7A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 3A, 4V

전력-최대

30W

주파수-전환

30MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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