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2SAR523MT2L

2SAR523MT2L

참조 용

부품 번호 2SAR523MT2L
PNEDA 부품 번호 2SAR523MT2L
설명 TRANS PNP 50V 0.1A VMT3
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 63,822
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SAR523MT2L 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SAR523MT2L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SAR523MT2L, 2SAR523MT2L 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 2,053.01 KB)
PDF2SAR523UBTL 데이터 시트 표지
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  • 2SAR523MT2L Distributor

2SAR523MT2L 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
전력-최대150mW
주파수-전환300MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-723
공급자 장치 패키지VMT3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

전력-최대

300mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 1V

전력-최대

800mW

주파수-전환

130MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SD1221-Y(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PW-MOLD

MJE13003B-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 500mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 400mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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