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2SB1188T100Q

2SB1188T100Q

참조 용

부품 번호 2SB1188T100Q
PNEDA 부품 번호 2SB1188T100Q
설명 TRANS PNP 32V 2A SO-89
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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2SB1188T100Q 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SB1188T100Q
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SB1188T100Q, 2SB1188T100Q 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 174.29 KB)
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2SB1188T100Q 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic800mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 500mA, 3V
전력-최대2W
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-243AA
공급자 장치 패키지MPT3

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

550mV @ 20mA, 600mA

전류-수집기 차단 (최대)

5µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

650 @ 500mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 2V

전력-최대

500mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Panasonic Electronic Components

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 10mA, 1V

전력-최대

125mW

주파수-전환

1.5GHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-89, SOT-490

공급자 장치 패키지

SSMini3-F1

2SA1020-Y,T6NSF(J

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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1A

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

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