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2SB1218ASL

2SB1218ASL

참조 용

부품 번호 2SB1218ASL
PNEDA 부품 번호 2SB1218ASL
설명 TRANS PNP 45V 0.1A SMINI 3P
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가 견적 요청
재고 있음 7,488
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예상 배송 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SB1218ASL 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SB1218ASL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SB1218ASL, 2SB1218ASL 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 253.78 KB)
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  • 2SB1218ASL Distributor

2SB1218ASL 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce290 @ 2mA, 10V
전력-최대150mW
주파수-전환80MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SMini3-G1

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Diodes Incorporated

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 6mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3, Formed Leads

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

KSC839CYTA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 12V

전력-최대

250mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

ZX5T853GTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

220mV @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

20nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 2V

전력-최대

3W

주파수-전환

130MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

BC639,112

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

전력-최대

830mW

주파수-전환

180MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SB1375,CLARIONF(M

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V

전력-최대

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