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2SB1481(TOJS,Q,M)

2SB1481(TOJS,Q,M)

참조 용

부품 번호 2SB1481(TOJS,Q,M)
PNEDA 부품 번호 2SB1481-TOJS-Q-M
설명 TRANS PNP 4A 100V TO220-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 6,642
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SB1481(TOJS 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SB1481(TOJS,Q,M)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SB1481(TOJS, 2SB1481(TOJS 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 157.13 KB)
PDF2SB1481(TOJS 데이터 시트 표지
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  • 2SB1481(TOJS,Q,M) Distributor

2SB1481(TOJS 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대)2µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce2000 @ 3A, 2V
전력-최대2W
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220NIS

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40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 1V

전력-최대

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 500mA, 5V

전력-최대

1W

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 50mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 3A, 3V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

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Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

5 @ 1A, 2V

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주파수-전환

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