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2SB315B-2MBI800VT-170E

2SB315B-2MBI800VT-170E

참조 용

부품 번호 2SB315B-2MBI800VT-170E
PNEDA 부품 번호 2SB315B-2MBI800VT-170E
설명 MOD GATE DVR 2MBI800VT-170E
제조업체 Power Integrations
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2SB315B-2MBI800VT-170E 리소스

브랜드 Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SB315B-2MBI800VT-170E
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
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2SB315B-2MBI800VT-170E 사양

제조업체Power Integrations
시리즈SCALE™-1
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Single
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급0V ~ 16V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형-
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)-
작동 온도-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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게이트 유형

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전압-공급

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논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.6A, 3.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

500V

상승 / 하강 시간 (일반)

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작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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구동 구성

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채널 유형

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드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.1V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-uMax-EP

MIC4101YM

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

400ns, 400ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL6614ACB

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

ISL6610ACRZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

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