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2SB647A-B-AP

2SB647A-B-AP

참조 용

부품 번호 2SB647A-B-AP
PNEDA 부품 번호 2SB647A-B-AP
설명 TRANSISTOR TO-92 MOD
제조업체 Micro Commercial Co
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2SB647A-B-AP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SB647A-B-AP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SB647A-B-AP, 2SB647A-B-AP 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 560 KB)
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2SB647A-B-AP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce60 @ 150mA, 5V
전력-최대900mW
주파수-전환140MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.7V @ 600mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

전력-최대

350mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

700V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 80mA, 800mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

4 @ 2A, 5V

전력-최대

80W

주파수-전환

-

작동 온도

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 25mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 3V

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