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2SC0650P2C0-17

2SC0650P2C0-17

참조 용

부품 번호 2SC0650P2C0-17
PNEDA 부품 번호 2SC0650P2C0-17
설명 IC DUAL GATE DRIVER 50A
제조업체 Power Integrations
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2SC0650P2C0-17 리소스

브랜드 Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC0650P2C0-17
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
2SC0650P2C0-17, 2SC0650P2C0-17 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 142.69 KB)
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2SC0650P2C0-17 사양

제조업체Power Integrations
시리즈SCALE™-2
구동 구성High-Side or Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT
전압-공급14.5V ~ 15.5V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)50A, 50A
입력 유형-
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)1700V
상승 / 하강 시간 (일반)25ns, 25ns
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Renesas Electronics America Inc.

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Renesas Electronics America Inc.

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

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드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

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작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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Renesas Electronics America Inc.

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구동 구성

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채널 유형

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Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

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작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge, Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.7V, 2.65V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

100mA, 100mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 6ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

31-PowerWFQFN

공급자 장치 패키지

31-PQFN (5x5)

L6384ED

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

14.6V ~ 16.6V

논리 전압-VIL, VIH

1.5V, 3.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

400mA, 650mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 30ns

작동 온도

-45°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

MIC4452BN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

12A, 12A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 24ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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