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2SC2235-O(T6FJT,FM

2SC2235-O(T6FJT,FM

참조 용

부품 번호 2SC2235-O(T6FJT,FM
PNEDA 부품 번호 2SC2235-O-T6FJT-FM
설명 TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 7,200
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 11 - 4월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC2235-O(T6FJT 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC2235-O(T6FJT,FM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SC2235-O(T6FJT, 2SC2235-O(T6FJT 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 128.05 KB)
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2SC2235-O(T6FJT 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 100mA, 5V
전력-최대900mW
주파수-전환120MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 12V

전력-최대

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작동 온도

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 50mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V

전력-최대

10W

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

28 @ 10mA, 3V

전력-최대

80W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

700mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

140V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 20mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 2V

전력-최대

800mW

주파수-전환

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작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

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