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2SC2235(T6KMAT,F,M

2SC2235(T6KMAT,F,M

참조 용

부품 번호 2SC2235(T6KMAT,F,M
PNEDA 부품 번호 2SC2235-T6KMAT-F-M
설명 TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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재고 있음 7,920
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2SC2235(T6KMAT 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC2235(T6KMAT,F,M
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SC2235(T6KMAT, 2SC2235(T6KMAT 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 128.05 KB)
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2SC2235(T6KMAT 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 100mA, 5V
전력-최대900mW
주파수-전환120MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

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100mW

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80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

전력-최대

1.25W

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

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Surface Mount

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600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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10nA (ICBO)

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