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2SC2235-Y(T6OMI,FM

2SC2235-Y(T6OMI,FM

참조 용

부품 번호 2SC2235-Y(T6OMI,FM
PNEDA 부품 번호 2SC2235-Y-T6OMI-FM
설명 TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC2235-Y(T6OMI 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC2235-Y(T6OMI,FM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SC2235-Y(T6OMI, 2SC2235-Y(T6OMI 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 128.05 KB)
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  • 2SC2235-Y(T6OMI,FM Distributor

2SC2235-Y(T6OMI 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 100mA, 5V
전력-최대900mW
주파수-전환120MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 4A, 1V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

85MHz

작동 온도

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Surface Mount

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트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

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작동 온도

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전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

900mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 1.5V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39 (TO-205AD)

PBSS5350X,135

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

390mV @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 2V

전력-최대

1.6W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

Micro Commercial Co

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-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 8mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 1A, 4V

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