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2SC2655-Y,WNLF(J

2SC2655-Y,WNLF(J

참조 용

부품 번호 2SC2655-Y,WNLF(J
PNEDA 부품 번호 2SC2655-Y-WNLF-J
설명 TRANS NPN 2A 50V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC2655-Y 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC2655-Y,WNLF(J
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SC2655-Y, 2SC2655-Y 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 167.4 KB)
PDF2SC2655-Y 데이터 시트 표지
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  • 2SC2655-Y,WNLF(J Distributor

2SC2655-Y 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 500mA, 2V
전력-최대900mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

140V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

전력-최대

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전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

140V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 4A, 2V

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2MHz

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ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

260MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

NJT4031NT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 1V

전력-최대

2W

주파수-전환

215MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

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SOT-223

2SD1388TP-3

ON Semiconductor

제조업체

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트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

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