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2SC2705-O(TE6,F,M)

2SC2705-O(TE6,F,M)

참조 용

부품 번호 2SC2705-O(TE6,F,M)
PNEDA 부품 번호 2SC2705-O-TE6-F-M
설명 TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC2705-O(TE6 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC2705-O(TE6,F,M)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SC2705-O(TE6, 2SC2705-O(TE6 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 115.84 KB)
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2SC2705-O(TE6 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
전력-최대800mW
주파수-전환200MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지LSTM

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

375mV @ 15mA, 750mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

450MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 1mA, 6V

전력-최대

300mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

전력-최대

250mW

주파수-전환

220MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

BC847BFZ-7B

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

435mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

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160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

450mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

전력-최대

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주파수-전환

120MHz

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