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2SC3225,T6ALPSF(M

2SC3225,T6ALPSF(M

참조 용

부품 번호 2SC3225,T6ALPSF(M
PNEDA 부품 번호 2SC3225-T6ALPSF-M
설명 TRANS NPN 2A 40V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC3225 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC3225,T6ALPSF(M
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
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PDF2SC3225 데이터 시트 표지
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2SC3225 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 1mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대)10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce500 @ 400mA, 1V
전력-최대900mW
주파수-전환220MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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STMicroelectronics

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 3.3A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

700µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V

전력-최대

90W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 3V

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Central Semiconductor Corp

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Central Semiconductor Corp

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 4V

전력-최대

125W

주파수-전환

60MHz

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-218-3

공급자 장치 패키지

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BDW83C-S

Bourns

제조업체

Bourns Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

4V @ 150mA, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 6A, 3V

전력-최대

3.5W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-218-3

공급자 장치 패키지

SOT-93

2SB1707TL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 40mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

270 @ 200mA, 2V

전력-최대

500mW

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