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2SC3585-T1B-A

2SC3585-T1B-A

참조 용

부품 번호 2SC3585-T1B-A
PNEDA 부품 번호 2SC3585-T1B-A
설명 RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23
제조업체 CEL
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC3585-T1B-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC3585-T1B-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
2SC3585-T1B-A, 2SC3585-T1B-A 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 2,099.38 KB)
PDF2SC3585-A 데이터 시트 표지
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2SC3585-T1B-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)10V
주파수-전환10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.8dB @ 2GHz
이득9dB
전력-최대200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대)35mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23

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시리즈

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트랜지스터 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

4.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3dB @ 500MHz

이득

-

전력-최대

273mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 14mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25mA

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

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20V

주파수-전환

600MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

이득

-

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5.5V

주파수-전환

4.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz

이득

4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ

전력-최대

140mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-3

공급자 장치 패키지

M13

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5.5V

주파수-전환

18GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz

이득

15.5dB ~ 18.5dB

전력-최대

230mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 2V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-343F

공급자 장치 패키지

4-DFP

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3.5V

주파수-전환

24GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

이득

17dB

전력-최대

50mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15mA

작동 온도

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