2SC3649S-TD-H
참조 용
| 부품 번호 | 2SC3649S-TD-H |
| PNEDA 부품 번호 | 2SC3649S-TD-H |
| 설명 | TRANS NPN 160V 1.5A PCP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,826 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 19 - 4월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2SC3649S-TD-H 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2SC3649S-TD-H |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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2SC3649S-TD-H 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 1.5A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 160V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 1µA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 5V |
| 전력-최대 | 500mW |
| 주파수-전환 | 120MHz |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-243AA |
| 공급자 장치 패키지 | PCP |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 600mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 10V 전력-최대 7W 주파수-전환 150MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지 TO-126-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 2V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대) 20µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 1000 @ 3A, 4V 전력-최대 75W 주파수-전환 - 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 500mA, 10V 전력-최대 25W 주파수-전환 4MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 400mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 1V 전력-최대 83W 주파수-전환 50MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
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