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2SC3837KT146P

2SC3837KT146P

참조 용

부품 번호 2SC3837KT146P
PNEDA 부품 번호 2SC3837KT146P
설명 TRANS NPN 20V 0.05A SOT-346
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 58,032
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
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2SC3837KT146P 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC3837KT146P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SC3837KT146P, 2SC3837KT146P 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 1,006.32 KB)
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  • 2SC3837KT146P Distributor

2SC3837KT146P 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 4mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce82 @ 10mA, 10V
전력-최대200mW
주파수-전환1.5GHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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3A

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60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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전력-최대

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주파수-전환

3MHz

작동 온도

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전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

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40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 7mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 20mA, 2V

전력-최대

625mW

주파수-전환

500MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

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트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 5mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15000 @ 100mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

전력-최대

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주파수-전환

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