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2SC4682,T6CSF(J

2SC4682,T6CSF(J

참조 용

부품 번호 2SC4682,T6CSF(J
PNEDA 부품 번호 2SC4682-T6CSF-J
설명 TRANS NPN 3A 15V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC4682 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC4682,T6CSF(J
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SC4682, 2SC4682 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 130.46 KB)
PDF2SC4682 데이터 시트 표지
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2SC4682 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 30mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce800 @ 500mA, 1V
전력-최대900mW
주파수-전환150MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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200V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 10V

전력-최대

750mW

주파수-전환

80MHz

작동 온도

150°C (TJ)

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Through Hole

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전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

260V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 3A, 5V

전력-최대

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주파수-전환

30MHz

작동 온도

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Through Hole

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3, Formed Leads

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

MPSA55_D27Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

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2W

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