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2SC5066-Y,LF

2SC5066-Y,LF

참조 용

부품 번호 2SC5066-Y,LF
PNEDA 부품 번호 2SC5066-Y-LF
설명 RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 4,662
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 6 - 2월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC5066-Y 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC5066-Y,LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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2SC5066-Y 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1dB @ 500MHz
이득-
전력-최대100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대)30mA
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지SSM

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

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이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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주파수-전환

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

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이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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작동 온도

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시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

주파수-전환

600MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

225mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

MPS5179_D26Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

2GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

이득

15dB

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

이득

12dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-363

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