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2SC5084-O(TE85L,F)

2SC5084-O(TE85L,F)

참조 용

부품 번호 2SC5084-O(TE85L,F)
PNEDA 부품 번호 2SC5084-O-TE85L-F
설명 RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMINI
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC5084-O(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC5084-O(TE85L,F)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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2SC5084-O(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
이득11dB
전력-최대150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)80mA
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지S-Mini

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

13.5dB ~ 20.5dB

전력-최대

580mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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주파수-전환

5.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

이득

11dB

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

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시리즈

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트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

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시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5.5V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz

이득

11dB ~ 13dB

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

11.5dB ~ 17dB

전력-최대

280mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

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