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2SC5233BTE85LF

2SC5233BTE85LF

참조 용

부품 번호 2SC5233BTE85LF
PNEDA 부품 번호 2SC5233BTE85LF
설명 TRANS NPN 12V 0.5A USM
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 5,544
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC5233BTE85LF 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC5233BTE85LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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  • 2SC5233BTE85LF Distributor

2SC5233BTE85LF 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce500 @ 10mA, 2V
전력-최대100mW
주파수-전환130MHz
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지USM

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 1A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

500mW

주파수-전환

-

작동 온도

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전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 1A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 10A, 2V

전력-최대

5W

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

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40 @ 200mA, 1V

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