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2SC5459(TOJS,Q,M)

2SC5459(TOJS,Q,M)

참조 용

부품 번호 2SC5459(TOJS,Q,M)
PNEDA 부품 번호 2SC5459-TOJS-Q-M
설명 TRANS NPN 3A 400V TO220-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 8,028
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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2SC5459(TOJS 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC5459(TOJS,Q,M)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SC5459(TOJS, 2SC5459(TOJS 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 161.1 KB)
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  • 2SC5459(TOJS,Q,M) Distributor

2SC5459(TOJS 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 150mA, 1.2A
전류-수집기 차단 (최대)100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce20 @ 300mA, 5V
전력-최대2W
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220NIS

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

25nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 10mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

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작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

5V @ 5A, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

8 @ 10A, 2V

전력-최대

6W

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NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

350V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 2mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 2A, 2V

전력-최대

100W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

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Microsemi

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Microsemi Corporation

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트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 120mA, 12A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 6A, 3V

전력-최대

150W

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Taiwan Semiconductor Corporation

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 5V

전력-최대

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