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2SC6096-TD-E

2SC6096-TD-E

참조 용

부품 번호 2SC6096-TD-E
PNEDA 부품 번호 2SC6096-TD-E
설명 TRANS NPN 100V 2A SOT89-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC6096-TD-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC6096-TD-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SC6096-TD-E, 2SC6096-TD-E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 315.5 KB)
PDF2SC6096-TD-E 데이터 시트 표지
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2SC6096-TD-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic150mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce300 @ 100mA, 5V
전력-최대1.3W
주파수-전환300MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-243AA
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20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 2V

전력-최대

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80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

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Through Hole

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트랜지스터 유형

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전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

20nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 30mA, 10V

전력-최대

1.2W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

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주파수-전환

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작동 온도

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 50mA, 1V

전력-최대

300mW

주파수-전환

150MHz

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