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2SC6135,LF

2SC6135,LF

참조 용

부품 번호 2SC6135,LF
PNEDA 부품 번호 2SC6135-LF
설명 NPN TRANSISTOR VCEO50V IC1A HFE4
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 3,024
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 13 - 2월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC6135 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC6135,LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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  • 2SC6135,LF Distributor

2SC6135 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈*
트랜지스터 유형-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전력-최대-
주파수-전환-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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Diodes Incorporated

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

140V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 15mA, 150mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

500mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

KSB798YTF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

135 @ 100mA, 1V

전력-최대

2W

주파수-전환

110MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89-3

KST3904MTF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

350mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

KSD986YSTSSTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

8000 @ 1A, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126-3

2N4261UB

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 1V

전력-최대

200mW

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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