2SCR341QTR
참조 용
| 부품 번호 | 2SCR341QTR |
| PNEDA 부품 번호 | 2SCR341QTR |
| 설명 | NPN 100MA 400V MIDDLE POWER TRAN |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,942 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2SCR341QTR 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2SCR341QTR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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2SCR341QTR 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 100mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 400V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 2mA, 20mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 10µA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 82 @ 10mA, 10V |
| 전력-최대 | 500mW |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | TSMT6 (SC-95) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/396 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 900mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 1A, 1.5V 전력-최대 500mW 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-46 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/350 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.5V @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대) 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 1.5A, 2V 전력-최대 1W 주파수-전환 - 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-5 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 200mV @ 400mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 220 @ 1A, 2V 전력-최대 830mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 ChipFET™ |
