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2SCR552P5T100

2SCR552P5T100

참조 용

부품 번호 2SCR552P5T100
PNEDA 부품 번호 2SCR552P5T100
설명 NPN 30V 3A MEDIUM POWER TRANSIST
제조업체 Rohm Semiconductor
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2SCR552P5T100 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SCR552P5T100
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
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PDF2SCR552P5T100 데이터 시트 표지
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2SCR552P5T100 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic400mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 500mA, 2V
전력-최대500mW
주파수-전환280MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-243AA
공급자 장치 패키지MPT3

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

500mW

주파수-전환

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-323

MJD243

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 1V

전력-최대

1.4W

주파수-전환

40MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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DPAK

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Central Semiconductor Corp

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

750mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 10V

전력-최대

350mW

주파수-전환

20MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

2N5655

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

10V @ 100mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 100mA, 10mV

전력-최대

20W

주파수-전환

10MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-225AA

2SA1037AKT146Q

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

200mW

주파수-전환

140MHz

작동 온도

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