2SD2206,T6F(J
참조 용
| 부품 번호 | 2SD2206,T6F(J |
| PNEDA 부품 번호 | 2SD2206-T6F-J |
| 설명 | TRANS NPN 2A 100V TO226-3 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,940 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2SD2206 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2SD2206,T6F(J |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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2SD2206 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 2A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 100V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 10µA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
| 전력-최대 | 900mW |
| 주파수-전환 | 100MHz |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| 공급자 장치 패키지 | TO-92MOD |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대) 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 1000 @ 4A, 4V 전력-최대 1.75W 주파수-전환 4MHz 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 DPAK |
