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2SD2257(CANO,A,Q)

2SD2257(CANO,A,Q)

참조 용

부품 번호 2SD2257(CANO,A,Q)
PNEDA 부품 번호 2SD2257-CANO-A-Q
설명 TRANS NPN 3A 100V TO220-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SD2257(CANO 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SD2257(CANO,A,Q)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SD2257(CANO, 2SD2257(CANO 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 154.39 KB)
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  • 2SD2257(CANO,A,Q) Distributor

2SD2257(CANO 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.5V @ 1.5mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대)10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce2000 @ 2A, 2V
전력-최대2W
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220NIS

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Infineon Technologies

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 30mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

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작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

700V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 1.25A, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

5.5 @ 5A, 5V

전력-최대

57W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

225mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

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작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

800V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 400mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

6 @ 2A, 5V

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