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2SD2695(T6CNO,A,F)

2SD2695(T6CNO,A,F)

참조 용

부품 번호 2SD2695(T6CNO,A,F)
PNEDA 부품 번호 2SD2695-T6CNO-A-F
설명 TRANS NPN 2A 60V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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2SD2695(T6CNO 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SD2695(T6CNO,A,F)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SD2695(T6CNO, 2SD2695(T6CNO 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 165.98 KB)
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2SD2695(T6CNO 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce2000 @ 1A, 2V
전력-최대900mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

600mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

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Through Hole

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

540mV @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 2A, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

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주파수-전환

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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