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2SD315AI UL

2SD315AI UL

참조 용

부품 번호 2SD315AI UL
PNEDA 부품 번호 2SD315AI-UL
설명 IC DUAL GATE DRIVER 18A
제조업체 Power Integrations
단가
1 ---------- $1,135.7903
50 ---------- $1,082.5502
100 ---------- $1,029.3100
200 ---------- $976.0698
400 ---------- $931.7030
500 ---------- $887.3362
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2SD315AI UL 리소스

브랜드 Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SD315AI UL
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
2SD315AI UL, 2SD315AI UL 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 565.77 KB)
PDF2SD315AI UL 데이터 시트 표지
2SD315AI UL 데이터 시트 페이지 2 2SD315AI UL 데이터 시트 페이지 3 2SD315AI UL 데이터 시트 페이지 4 2SD315AI UL 데이터 시트 페이지 5 2SD315AI UL 데이터 시트 페이지 6 2SD315AI UL 데이터 시트 페이지 7 2SD315AI UL 데이터 시트 페이지 8 2SD315AI UL 데이터 시트 페이지 9 2SD315AI UL 데이터 시트 페이지 10 2SD315AI UL 데이터 시트 페이지 11

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2SD315AI UL 사양

제조업체Power Integrations
시리즈SCALE™-1
구동 구성Half-Bridge
채널 유형-
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급15V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)18A, 18A
입력 유형-
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)-
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Microchip Technology

시리즈

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

60ns, 60ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

30V

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IXDD614SITR

IXYS Integrated Circuits Division

제조업체

IXYS Integrated Circuits Division

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

14A, 14A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 18ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

LM5111-2MY

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

3.5V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

14ns, 12ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-MSOP-PowerPad

IRS23364DSPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

11.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

125ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

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