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2SJ01630RL

2SJ01630RL

참조 용

부품 번호 2SJ01630RL
PNEDA 부품 번호 2SJ01630RL
설명 JFET P-CH 20MA 150MW MINI-3
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가 견적 요청
재고 있음 2,394
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SJ01630RL 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SJ01630RL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2SJ01630RL, 2SJ01630RL 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 201.7 KB)
PDF2SJ01630RL 데이터 시트 표지
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  • 2SJ01630RL Distributor

2SJ01630RL 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
FET 유형P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)600µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대20mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id1.5V @ 10µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds12pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)300 Ohms
전력-최대150mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지Mini3-G1

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

600µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

20mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1.5V @ 10µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

300 Ohms

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

Mini3-G1

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

2N4091

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/431

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

360mW

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18

J270_D26Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MMBF5459

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SOT-23-3

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