Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

2SJ600-Z-E1-AZ

2SJ600-Z-E1-AZ

참조 용

부품 번호 2SJ600-Z-E1-AZ
PNEDA 부품 번호 2SJ600-Z-E1-AZ
설명 TRANSISTOR
제조업체 Renesas Electronics America
단가
1 ---------- $0.3450
500 ---------- $0.3288
1,000 ---------- $0.3126
2,500 ---------- $0.2965
5,000 ---------- $0.2830
10,000 ---------- $0.2695
재고 있음 12,148
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SJ600-Z-E1-AZ 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SJ600-Z-E1-AZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
2SJ600-Z-E1-AZ, 2SJ600-Z-E1-AZ 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 240.25 KB)
PDF2SJ600-Z-E1-AZ 데이터 시트 표지
2SJ600-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 2 2SJ600-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 3 2SJ600-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 4 2SJ600-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 5 2SJ600-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 6 2SJ600-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 7 2SJ600-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 8 2SJ600-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 9 2SJ600-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • 2SJ600-Z-E1-AZ Datasheet
  • where to find 2SJ600-Z-E1-AZ
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America 2SJ600-Z-E1-AZ
  • 2SJ600-Z-E1-AZ PDF Datasheet
  • 2SJ600-Z-E1-AZ Stock

  • 2SJ600-Z-E1-AZ Pinout
  • Datasheet 2SJ600-Z-E1-AZ
  • 2SJ600-Z-E1-AZ Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • 2SJ600-Z-E1-AZ Price
  • 2SJ600-Z-E1-AZ Distributor

2SJ600-Z-E1-AZ 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형-
기술-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
공급자 장치 패키지-
패키지 / 케이스-

관심을 가질만한 제품

IRLU3410PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

79W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

IPAK (TO-251)

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRFDC20

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

320mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.4Ohm @ 190mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

패키지 / 케이스

4-DIP (0.300", 7.62mm)

XP161A1265PR-G

Torex Semiconductor Ltd

제조업체

Torex Semiconductor Ltd

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

150°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-89

패키지 / 케이스

TO-243AA

제조업체

IXYS

시리즈

TrenchMV™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

85V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

88A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

69nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3140pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263-7 (IXTA..7)

패키지 / 케이스

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

SI7407DN-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 15.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 400µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

59nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8

최근 판매

AUIRF2804S

AUIRF2804S

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

MIC5365-3.3YC5-TR

MIC5365-3.3YC5-TR

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SC70-5

7443320068

7443320068

Wurth Electronics

FIXED IND 680NH 26A 0.72 MOHM

2016L100/33DR

2016L100/33DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 33V 1.1A 2016

ULN2804A

ULN2804A

STMicroelectronics

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

1N4007-TP

1N4007-TP

Micro Commercial Co

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

AT21CS01-STUM10-T

AT21CS01-STUM10-T

Microchip Technology

IC EEPROM 1K I2C 125KHZ SOT23

MX29GL512FLT2I-10Q

MX29GL512FLT2I-10Q

Macronix

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

MT25QL128ABA1EW9-0SIT

MT25QL128ABA1EW9-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN

B160-13-F

B160-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA

ECA-2AM470

ECA-2AM470

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 47UF 20% 100V RADIAL

FSA3157P6X

FSA3157P6X

ON Semiconductor

IC SWITCH MULTIMEDIA SC70-6