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2SK0615

2SK0615

참조 용

부품 번호 2SK0615
PNEDA 부품 번호 2SK0615
설명 MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가 견적 요청
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2SK0615 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK0615
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
2SK0615, 2SK0615 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 198.94 KB)
PDF2SK0615 데이터 시트 표지
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  • 2SK0615 Distributor

2SK0615 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds45pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지M-A1
패키지 / 케이스3-SIP

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

140A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

82nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4760pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

AOD4185L_003

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.6nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2550pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

62.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NVTA7002NT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

154mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7Ohm @ 154mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20pF @ 5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300mW (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SC-75

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

SIHU6N62E-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

620V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

900mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

578pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

78W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

IPAK (TO-251)

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-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V, 15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 15V, 50A

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6950pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 200W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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TO-220-3

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