2SK1070PIETR-E
참조 용
| 부품 번호 | 2SK1070PIETR-E |
| PNEDA 부품 번호 | 2SK1070PIETR-E |
| 설명 | JFET N-CH MPAK |
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,676 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2SK1070PIETR-E 리소스
| 브랜드 | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2SK1070PIETR-E |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
| 데이터 시트 |
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- 2SK1070PIETR-E Distributor
2SK1070PIETR-E 사양
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | 22V |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 12mA @ 5V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | 50mA |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 0V @ 10µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9pF @ 5V |
| 저항-RDS (켜짐) | - |
| 전력-최대 | 150mW |
| 작동 온도 | 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | 3-MPAK |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 4mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 5V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 250mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23 (TO-236AB) |
