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2SK208-GR(TE85L,F)

2SK208-GR(TE85L,F)

참조 용

부품 번호 2SK208-GR(TE85L,F)
PNEDA 부품 번호 2SK208-GR-TE85L-F
설명 JFET N-CH 50V SC59
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가
1 ---------- $11.0665
100 ---------- $10.5478
250 ---------- $10.0290
500 ---------- $9.5103
750 ---------- $9.0780
1,000 ---------- $8.6457
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2SK208-GR(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK208-GR(TE85L,F)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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  • 2SK208-GR(TE85L,F) Distributor

2SK208-GR(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)50V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)2.6mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대6.5mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id400mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds8.2pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대100mW
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SC-59

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전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

800mV @ 10nA

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전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 10V

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전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2.5V @ 0.5nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

225mW

작동 온도

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Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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10mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

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전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

18 Ohms

전력-최대

310mW

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