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2SK2145-BL(TE85L,F

2SK2145-BL(TE85L,F

참조 용

부품 번호 2SK2145-BL(TE85L,F
PNEDA 부품 번호 2SK2145-BL-TE85L-F
설명 JFET N-CH 50V SMV
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가
1 ---------- $3.7362
250 ---------- $3.5611
500 ---------- $3.3859
1,000 ---------- $3.2108
2,500 ---------- $3.0648
5,000 ---------- $2.9189
재고 있음 34
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2SK2145-BL(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK2145-BL(TE85L,F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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2SK2145-BL(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)6mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id200mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대300mW
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지SMV

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

300mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4.5pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4.5V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

3 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

50V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2.6mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1.5V @ 100nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

125°C (TJ)

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Surface Mount

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 0.5nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

60 Ohms

전력-최대

360mW

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

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전류 드레인 (Id)-최대

10mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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