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2SK2145-Y(TE85L,F)

2SK2145-Y(TE85L,F)

참조 용

부품 번호 2SK2145-Y(TE85L,F)
PNEDA 부품 번호 2SK2145-Y-TE85L-F
설명 MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가
1 ---------- $13.2503
100 ---------- $12.6292
250 ---------- $12.0081
500 ---------- $11.3870
750 ---------- $10.8694
1,000 ---------- $10.3518
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2SK2145-Y(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK2145-Y(TE85L,F)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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  • 2SK2145-Y(TE85L,F) Distributor

2SK2145-Y(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)1.2mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id200mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대300mW
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지SMV

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

210µA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.5pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

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전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

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