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2SK275100L

2SK275100L

참조 용

부품 번호 2SK275100L
PNEDA 부품 번호 2SK275100L
설명 JFET N-CH 10MA 200MW MINI-3
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가 견적 요청
재고 있음 8,028
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SK275100L 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK275100L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2SK275100L, 2SK275100L 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 198.42 KB)
PDF2SK275100L 데이터 시트 표지
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  • 2SK275100L Distributor

2SK275100L 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)1.4µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id3.5V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대200mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지Mini3-G1

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

15V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

16mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 10µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4.9pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

SC-70FL/MCPH3

PN4391_D75Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

IJW120R100T1FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5µA @ 1200V

전류 드레인 (Id)-최대

26A

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1550pF @ 19.5V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

100 mOhms

전력-최대

190W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

2SK596S-B

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

150µA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4.1pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SC-72

공급자 장치 패키지

3-SPA

PN4861

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

800mV @ 0.5nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

60 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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