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2SK3079ATE12LQ

2SK3079ATE12LQ

참조 용

부품 번호 2SK3079ATE12LQ
PNEDA 부품 번호 2SK3079ATE12LQ
설명 MOSF RF N CH 10V PW-X
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 3,042
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
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2SK3079ATE12LQ 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK3079ATE12LQ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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  • 2SK3079ATE12LQ Distributor

2SK3079ATE12LQ 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel
주파수470MHz
이득13.5dB
전압-테스트4.5V
전류 정격 (Amps)3A
소음 수치-
현재-테스트50mA
전원-출력33.5dBmW
전압-정격10V
패키지 / 케이스TO-271AA
공급자 장치 패키지PW-X

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전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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전류 정격 (Amps)

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72W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

BF999E6433HTMA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

45MHz

이득

27dB

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

2.1dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

960MHz

이득

19.4dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.4A

전원-출력

100W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.9GHz

이득

13.3dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

320W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

NI-1230S

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