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2SK3320-BL(TE85L,F

2SK3320-BL(TE85L,F

참조 용

부품 번호 2SK3320-BL(TE85L,F
PNEDA 부품 번호 2SK3320-BL-TE85L-F
설명 JFET DUAL N-CH USV
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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2SK3320-BL(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK3320-BL(TE85L,F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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2SK3320-BL(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)6mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id200mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대200mW
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
공급자 장치 패키지USV

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

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전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 15V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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2SK34260TL

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

107µA @ 2V

전류 드레인 (Id)-최대

2mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

-20°C ~ 80°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

공급자 장치 패키지

SSSMini3-F1

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

2SK1070PICTL-E

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

22V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

12mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

0V @ 10µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

3-MPAK

J175_D27Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

125 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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