2SK3539G0L
참조 용
부품 번호 | 2SK3539G0L |
PNEDA 부품 번호 | 2SK3539G0L |
설명 | MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P |
제조업체 | Panasonic Electronic Components |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 3,420 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
2SK3539G0L 리소스
브랜드 | Panasonic Electronic Components |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | 2SK3539G0L |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
데이터 시트 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.
우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.
신속한 대응
저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.
보장 된 품질
당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.
글로벌 액세스
전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.
Hot search vocabulary
- 2SK3539G0L Datasheet
- where to find 2SK3539G0L
- Panasonic Electronic Components
- Panasonic Electronic Components 2SK3539G0L
- 2SK3539G0L PDF Datasheet
- 2SK3539G0L Stock
- 2SK3539G0L Pinout
- Datasheet 2SK3539G0L
- 2SK3539G0L Supplier
- Panasonic Electronic Components Distributor
- 2SK3539G0L Price
- 2SK3539G0L Distributor
2SK3539G0L 사양
제조업체 | Panasonic Electronic Components |
시리즈 | - |
FET 유형 | N-Channel |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 50V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100mA (Ta) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 1µA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
Vgs (최대) | ±7V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 12pF @ 3V |
FET 기능 | - |
전력 손실 (최대) | 150mW (Ta) |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
공급자 장치 패키지 | SMini3-F2 |
패키지 / 케이스 | SC-85 |
관심을 가질만한 제품
Infineon Technologies 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 23mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1360pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 110W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Infineon Technologies 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 79mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 59nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1820pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SO 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vishay Siliconix 제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.2nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 140pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta), 36W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Rohm Semiconductor 제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.08Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 485pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 40W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220FM 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
Global Power Technologies Group 제조업체 Global Power Technologies Group 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 49nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1969pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 40.3W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220F 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |