2SK3547G0L
참조 용
| 부품 번호 | 2SK3547G0L |
| PNEDA 부품 번호 | 2SK3547G0L |
| 설명 | MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,424 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2SK3547G0L 리소스
| 브랜드 | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2SK3547G0L |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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2SK3547G0L 사양
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 50V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100mA (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 1µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | ±7V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 12pF @ 3V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 100mW (Ta) |
| 작동 온도 | 125°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SSSMini3-F2 |
| 패키지 / 케이스 | SOT-723 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Panasonic Electronic Components 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs 55mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1000pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 700mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 WSMini6-F1-B 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 120mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 303pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.1W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-6 패키지 / 케이스 SOT-23-6 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 460mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V Vgs (최대) -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 63pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 350mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 325pF @ 10V FET 기능 Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대) 1.25W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TSMT5 패키지 / 케이스 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
