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2SK3737-5-TL-E

2SK3737-5-TL-E

참조 용

부품 번호 2SK3737-5-TL-E
PNEDA 부품 번호 2SK3737-5-TL-E
설명 FET RF
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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2SK3737-5-TL-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK3737-5-TL-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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  • 2SK3737-5-TL-E Distributor

2SK3737-5-TL-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel
주파수-
이득35dB
전압-테스트10V
전류 정격 (Amps)12mA
소음 수치2dB
현재-테스트-
전원-출력-
전압-정격15V
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지3-MCP

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소음 수치

-

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전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

10dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

180mA

전원-출력

10W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

NI-360HF

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NI-360HF

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

11dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

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80mA

전원-출력

4.5W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

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이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

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전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

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Ampleon USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

15.5dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

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전압-정격

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