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2SK3796-4-TL-E

2SK3796-4-TL-E

참조 용

부품 번호 2SK3796-4-TL-E
PNEDA 부품 번호 2SK3796-4-TL-E
설명 JFET N-CH 10MA 100MW SMCP
제조업체 ON Semiconductor
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2SK3796-4-TL-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK3796-4-TL-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2SK3796-4-TL-E, 2SK3796-4-TL-E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 466.46 KB)
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2SK3796-4-TL-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)2.5mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id180mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)200 Ohms
전력-최대100mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지SMCP

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30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

10mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

180mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

200 Ohms

전력-최대

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

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BFR31LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2.5V @ 0.5nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

BSR57

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 0.5nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

40 Ohms

전력-최대

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

2N5114-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-206AA (TO-18)

2N3822

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

50V

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

6V @ 500pA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

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