2SK545-11D-TB-E
참조 용
| 부품 번호 | 2SK545-11D-TB-E | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | 2SK545-11D-TB-E | ||||||||||||||||||
| 설명 | JFET N-CH 1MA 125MW CP | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 212 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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2SK545-11D-TB-E 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2SK545-11D-TB-E |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
| 데이터 시트 |
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2SK545-11D-TB-E 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 60µA @ 10V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | 1mA |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 1.5V @ 1µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1.7pF @ 10V |
| 저항-RDS (켜짐) | - |
| 전력-최대 | 125mW |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | 3-CP |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 4V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14pF @ 15V (VGS) 저항-RDS (켜짐) 30 Ohms 전력-최대 225mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 40V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 4mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 1.8V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 350mW 작동 온도 -65°C ~ 135°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
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