2SK879-GR(TE85L,F)
참조 용
| 부품 번호 | 2SK879-GR(TE85L,F) | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | 2SK879-GR-TE85L-F | ||||||||||||||||||
| 설명 | JFET N-CH 0.1W USM | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 32,949 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
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2SK879-GR(TE85L 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2SK879-GR(TE85L,F) |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
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- 2SK879-GR(TE85L,F) Distributor
2SK879-GR(TE85L 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 2.6mA @ 10V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | - |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 400mV @ 100nA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 8.2pF @ 10V |
| 저항-RDS (켜짐) | - |
| 전력-최대 | 100mW |
| 작동 온도 | 125°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SC-70, SOT-323 |
| 공급자 장치 패키지 | USM |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 25V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 60mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 600mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 625mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 210µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3.1pF @ 2V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 30mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 3-USFP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 25V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 300mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 225mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
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