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2SP0115T2B0-12

2SP0115T2B0-12

참조 용

부품 번호 2SP0115T2B0-12
PNEDA 부품 번호 2SP0115T2B0-12
설명 IC DUAL GATE DRIVER
제조업체 Power Integrations
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SP0115T2B0-12 리소스

브랜드 Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SP0115T2B0-12
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
2SP0115T2B0-12, 2SP0115T2B0-12 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 309.6 KB)
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2SP0115T2B0-12 사양

제조업체Power Integrations
시리즈SCALE™-2
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT
전압-공급14.5V ~ 15.5V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)8A, 15A
입력 유형-
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)1200V
상승 / 하강 시간 (일반)5ns, 10ns
작동 온도-20°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

Monolithic Power Systems Inc.

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-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

5V ~ 60V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

800mA, 1A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-VFQFN Exposed Pad

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Infineon Technologies

시리즈

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

1.2V, 1.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

5A, 5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

5.3ns, 4.5ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 24ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-5

공급자 장치 패키지

TO-220-5

TC4422AVMF

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

10A, 10A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

38ns, 33ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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DGD2104AS8-13

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

210mA, 360mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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